CSD18540Q5BT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSON-CLIP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

205 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

41 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

188 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

CSD18540Q5B

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

116 S

Kit di sviluppo:

BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM

Tempo di caduta:

3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Unità di peso:

0.000847 oz

Tags

CSD1854, CSD185, CSD18, CSD1, CSD