IXTY2N60P

IXTY2N60P
Mfr. #:
IXTY2N60P
Produttore:
IXYS
Descrizione:
IGBT Transistors MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXTY2N60P Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IXYS
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Serie
IXTY2N60
Confezione
Tubo
Unità di peso
0.012346 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Nome depositato
PolarHV
Pacchetto-Custodia
TO-252-3
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
55 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
23 ns
Ora di alzarsi
20 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
30 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
5 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
5.1 Ohms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
60 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
28 ns
Qg-Gate-Carica
7 nC
Transconduttanza diretta-Min
1.4 S
Modalità canale
Aumento
Tags
IXTY2N, IXTY2, IXTY, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXTY2N60P
DISTI # IXTY2N60P-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 2A D-PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 70
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IXTY2N60P
    DISTI # 747-IXTY2N60P
    IXYS CorporationMOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds
    RoHS: Compliant
    94
    • 1:$1.2500
    • 10:$1.1300
    • 25:$0.9810
    • 50:$0.9190
    • 100:$0.9060
    • 250:$0.7350
    • 500:$0.7050
    • 1000:$0.5840
    • 2500:$0.4900
    Immagine Parte # Descrizione
    IXTY02N120P-TRL

    Mfr.#: IXTY02N120P-TRL

    OMO.#: OMO-IXTY02N120P-TRL

    Discrete Semiconductor Modules Polar Power MOSFET
    IXTY01N100-TRL

    Mfr.#: IXTY01N100-TRL

    OMO.#: OMO-IXTY01N100-TRL

    Discrete Semiconductor Modules High Voltage Power MOSFET
    IXTY1R4N120PHV

    Mfr.#: IXTY1R4N120PHV

    OMO.#: OMO-IXTY1R4N120PHV

    Discrete Semiconductor Modules Disc Mosfet N-CH Std-Polar TO-252D
    IXTY08N100P

    Mfr.#: IXTY08N100P

    OMO.#: OMO-IXTY08N100P

    MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds
    IXTY44N10T

    Mfr.#: IXTY44N10T

    OMO.#: OMO-IXTY44N10T

    MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds
    IXTY4N65X2 TRL

    Mfr.#: IXTY4N65X2 TRL

    OMO.#: OMO-IXTY4N65X2-TRL-1190

    Nuovo e originale
    IXTY08N100D2TRL

    Mfr.#: IXTY08N100D2TRL

    OMO.#: OMO-IXTY08N100D2TRL-1190

    Nuovo e originale
    IXTY2N100P

    Mfr.#: IXTY2N100P

    OMO.#: OMO-IXTY2N100P-IXYS-CORPORATION

    IGBT Transistors MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds
    IXTY1R6N50P

    Mfr.#: IXTY1R6N50P

    OMO.#: OMO-IXTY1R6N50P-IXYS-CORPORATION

    IGBT Transistors MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds
    IXTY08N120P

    Mfr.#: IXTY08N120P

    OMO.#: OMO-IXTY08N120P-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
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    Available
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    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    0,74 USD
    0,74 USD
    10
    0,70 USD
    6,98 USD
    100
    0,66 USD
    66,15 USD
    500
    0,62 USD
    312,40 USD
    1000
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