IXTY44N10T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

85 V

Id - Corrente di scarico continua:

44 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

33 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

130 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.22 mm

Serie:

IXTY44N10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

TrenchMV Power MOSFET

Larghezza:

6.73 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

13 S

Tempo di caduta:

32 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

47 ns

Quantità confezione di fabbrica:

70

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

36 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

21 ns

Unità di peso:

0.012346 oz

Tags

IXTY4, IXTY, IXT