IXTY1R4N120PHV

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

Polare

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Marca:

IXYS

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

29 ns

Id - Corrente di scarico continua:

1.4 A

Pd - Dissipazione di potenza:

86 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

13 Ohms

Ora di alzarsi:

27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Nome depositato:

Polare

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

78 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1200 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Tags

IXTY1R4N12, IXTY1R4N1, IXTY1R4, IXTY1R, IXTY1, IXTY, IXT