IRG7S313UTRLPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

330 V

Id - Corrente di scarico continua:

44 A

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.7 V

Qg - Carica cancello:

33 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

78 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

47 S

Tempo di caduta:

68 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001537462

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

IRG7S3, IRG7S, IRG7, IRG