IRG7S313UPBF

IRG7S313UPBF
Mfr. #:
IRG7S313UPBF
Produttore:
Infineon Technologies AG
Descrizione:
IGBT,N CHANNEL,330V,40A,D2PAK, DC Collector Current:40A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.14V, Power Dissipation Pd:78W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:330V, No. of Pins:3Pins,
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IRG7S313UPBF Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Tags
IRG7S3, IRG7S, IRG7, IRG
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans IGBT Chip N-CH 330V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
***ernational Rectifier
330V PDP Trench IGBT in a D2Pak package
***nell
IGBT,N CH,330V,40A,D2PAK; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Voltage Vces:2.14V; Power Dissipation Pd:78W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:330V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:78W
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IRG7S313UPBF
DISTI # 41T2866
Infineon Technologies AGIGBT,N CHANNEL,330V,40A,D2PAK,DC Collector Current:40A,Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.14V,Power Dissipation Pd:78W,Collector Emitter Voltage V(br)ceo:330V,No. of Pins:3Pins,Operating Temperature Max:150°C RoHS Compliant: Yes0
    IRG7S313UPBF
    DISTI # 70019802
    Infineon Technologies AGMOSFET,330V,40.000A,D2PAK
    RoHS: Compliant
    0
    • 350:$1.2400
    • 700:$1.1800
    • 1050:$1.1300
    IRG7S313UPBF
    DISTI # 942-IRG7S313UPBF
    Infineon Technologies AGIGBT Transistors 330V PDP TRENCH IGBT Ultrafast 8 - 30 kHz
    RoHS: Compliant
    0
      Immagine Parte # Descrizione
      IRG7S313UTRLPBF

      Mfr.#: IRG7S313UTRLPBF

      OMO.#: OMO-IRG7S313UTRLPBF

      MOSFET 330V 40A D2PAK
      IRG7S313UTRLPBF

      Mfr.#: IRG7S313UTRLPBF

      OMO.#: OMO-IRG7S313UTRLPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

      IGBT Transistors MOSFET 330V 40A D2PAK
      IRG7S313U

      Mfr.#: IRG7S313U

      OMO.#: OMO-IRG7S313U-1190

      Nuovo e originale
      IRG7S313U G7S313U

      Mfr.#: IRG7S313U G7S313U

      OMO.#: OMO-IRG7S313U-G7S313U-1190

      Nuovo e originale
      IRG7S313UPBF

      Mfr.#: IRG7S313UPBF

      OMO.#: OMO-IRG7S313UPBF-1190

      IGBT,N CHANNEL,330V,40A,D2PAK, DC Collector Current:40A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.14V, Power Dissipation Pd:78W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:330V, No. of Pins:3Pins,
      IRG7S313UTRL

      Mfr.#: IRG7S313UTRL

      OMO.#: OMO-IRG7S313UTRL-1190

      Nuovo e originale
      Disponibilità
      Azione:
      Available
      Su ordine:
      1000
      Inserisci la quantità:
      Il prezzo attuale di IRG7S313UPBF è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
      Prezzo di riferimento (USD)
      Quantità
      Prezzo unitario
      est. Prezzo
      1
      1,70 USD
      1,70 USD
      10
      1,61 USD
      16,10 USD
      100
      1,53 USD
      152,55 USD
      500
      1,44 USD
      720,40 USD
      1000
      1,36 USD
      1 356,00 USD
      A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
      Iniziare con
      Top