TGF2953

TGF2953
Mfr. #:
TGF2953
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TGF2953 Scheda dati
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ECAD Model:
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Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
TriQuint (Qorvo)
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Confezione
Cialda
Alias ​​parziali
1112257
Stile di montaggio
SMD/SMT
Intervallo operativo di temperatura
- 65 C to + 150 C
Pacchetto-Custodia
Morire
Tecnologia
GaN SiC
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
HEMT
Guadagno
18.2 dB
Potenza di uscita
41.6 dBm
Pd-Power-Dissipazione
17 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 65
Frequenza operativa
15 GHz
Id-Continuo-Scarico-Corrente
820 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
32 V
Polarità del transistor
Canale N
Tensione massima-Drain-Gate
100 V
Tags
TGF295, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
TGF GaN on SiC Transistors
Qorvo TGF GaN on SiC Transistors for the Satellite, P to P, and Military communications along with Marine radar and Test and instrumentation. These are small footprint (dies) that handle high power (7W to 70W) and high frequency, up to 14GHz.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TGF2953
DISTI # 772-TGF2953
QorvoRF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
RoHS: Compliant
50
  • 50:$43.9000
  • 100:$37.9700
1112257
DISTI # TGF2953
QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 1:$25.3000
Immagine Parte # Descrizione
TGF2942

Mfr.#: TGF2942

OMO.#: OMO-TGF2942

RF JFET Transistors DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaN
TGF2954

Mfr.#: TGF2954

OMO.#: OMO-TGF2954

RF JFET Transistors DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
TGF2023-2-20

Mfr.#: TGF2023-2-20

OMO.#: OMO-TGF2023-2-20

RF JFET Transistors DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
TGF2977-SM

Mfr.#: TGF2977-SM

OMO.#: OMO-TGF2977-SM-318

RF JFET Transistors 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
TGF2022-12

Mfr.#: TGF2022-12

OMO.#: OMO-TGF2022-12-318

RF JFET Transistors DC-20GHz 1.2mm Pwr pHEMT (0.35um)
TGF2819-FS

Mfr.#: TGF2819-FS

OMO.#: OMO-TGF2819-FS-318

RF JFET Transistors DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
TGF2942

Mfr.#: TGF2942

OMO.#: OMO-TGF2942-1152

RF JFET Transistors DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaN
TGF2960

Mfr.#: TGF2960

OMO.#: OMO-TGF2960-1190

Nuovo e originale
TGF60-07870787-039

Mfr.#: TGF60-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF60-07870787-039-LEADER-TECH

THERMAL GAP FILLER, 200X200X1MM, GREY
TGF30-07870787-039

Mfr.#: TGF30-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF30-07870787-039-LEADER-TECH

Thermal Gap Filler/Sky Blue 3.0W/m-K
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Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
56,96 USD
56,96 USD
10
54,11 USD
541,07 USD
100
51,26 USD
5 125,95 USD
500
48,41 USD
24 205,90 USD
1000
45,56 USD
45 564,00 USD
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