TGF2942

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Qorvo

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN SiC

Guadagno:

18 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

-

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

-

Id - Corrente di scarico continua:

170 mA

Potenza di uscita:

2.4 W

Tensione massima della porta di drenaggio:

-

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 85 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.9 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Confezione:

Confezione di gel

Applicazione:

Difesa e aerospaziale, wireless a banda larga

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

DC to 25 GHz

Serie:

TGF

Marca:

Qorvo

Transconduttanza diretta - Min:

-

NF - Figura di rumore:

1.2 dB

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

1113824

Tags

TGF29, TGF2, TGF