DMN2025UFDB-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

U-DFN2020-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

12.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.4 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

9.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.4 ns

Unità di peso:

0.000229 oz

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