DMN2022UFDF-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

U-DFN2020-F-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

7.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

35 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

18 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.03 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerDI

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN2022

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

239 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

87 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

632 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

56 ns

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DMN2022, DMN202, DMN20, DMN2, DMN