DMN2029UVT-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOT-26-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

24 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

0.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

7.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.7 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

433 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

139 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

1023 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

98 ns

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