IRF6665TR1PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-SH

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

62 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8.7 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

42 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

4.85 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.95 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

6.6 S

Tempo di caduta:

4.3 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001564530

Unità di peso:

0.017637 oz

Tags

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