BUK7K15-80EX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

23 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

35.1 nC, 35.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

68 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

15.1 ns, 15.1 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12.6 ns, 12.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25.1 ns, 25.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.8 ns, 8.8 ns

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