SQJB00EP-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-SO-8L-4

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

35 nC, 35 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

48 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SQ

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

36 S, 36 S

Tempo di caduta:

22 ns, 22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns, 3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns, 23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns, 13 ns

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

SQJB, SQJ