SQJ208EP-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A, 60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.4 mOhms, 3.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V, 1.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

33 nC, 75 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

48 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SQ

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

32 S, 51 S

Tempo di caduta:

25 ns, 57 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns, 5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns, 35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 14 ns

Tags

SQJ20, SQJ2, SQJ