FMMT555TC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 150 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 160 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.3 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FMMT55

Guadagno di corrente CC hFE Max:

50 at 10 mA, 10 V

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

50 at 10 mA, 10 V, 50 at 300 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

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