DMP10H4D2S-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

270 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

1.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

440 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.975 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

DMP10

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

4.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.3 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

DMP10H4D, DMP10H, DMP10, DMP1, DMP