SI4590DY-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.6 A, 3.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

57 mOhms, 183 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

11.5 nC, 36 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.6 W, 4.2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SI4

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

9 S, 9.3 S

Tempo di caduta:

12 ns, 25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

73 ns, 80 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns, 42 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

32 ns, 55 ns

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

SI459, SI45, SI4