APT27HZTR-G1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

450 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

500 mV

Corrente massima del collettore CC:

1.6 A

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

APT27

Guadagno di corrente CC hFE Max:

40 at 100 mA, 10 V

Confezione:

Pacchetto munizioni

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

0.8 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

6 at 300 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

APT27, APT2, APT