IRFHS9351TR2PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

170 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

1.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.4 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Larghezza:

2 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

2.4 S

Tempo di caduta:

7.9 nS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 nS

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

6.3 nS

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.3 nS

Parte # Alias:

SP001572664

Unità di peso:

0.017637 oz

Tags

IRFHS935, IRFHS9, IRFHS, IRFH, IRF