IRFHS9301TR2PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

37 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

6.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

2 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

9.3 S

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

80 ns

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Parte # Alias:

SP001577972

Tags

IRFHS930, IRFHS9, IRFHS, IRFH, IRF