GS-065-008-1-L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Sistemi GaN

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

GaN Si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PDFN-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

541 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 10 V to 7 V

Qg - Carica cancello:

1.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

GS-065

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Sistemi GaN

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

GS-065-008-1-L-E01-MR