MMDT2227M-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-26-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

75 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

0.6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMDT22

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

35

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.001058 oz

Tags

MMDT2227, MMDT22, MMDT2, MMDT, MMD