DMN4800LSSL-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.46 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN4800

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

8 S

Tempo di caduta:

8.55 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26.33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.03 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

DMN4800LSSL, DMN4800LSS, DMN4800LS, DMN4800L, DMN48, DMN4, DMN