SIHB33N60ET5-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

33 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

99 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

100 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

278 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

E

Tipo di transistor:

MOSFET

Marca:

Vishay / Siliconix

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

99 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

28 ns

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

SIHB33, SIHB3, SIHB, SIH