GB02SHT06-46

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore GeneSiC

Categoria di prodotto:

Diodi e raddrizzatori Schottky

RoHS:

Y

Prodotto:

Diodi Schottky al carburo di silicio

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-46-2

Se - Corrente diretta:

4 A

Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:

600 V

Vf - Tensione diretta:

1.6 V

Ifsm - Corrente diretta in avanti:

10 A

Configurazione:

Separare

Tecnologia:

SiC

Ir - Corrente inversa:

1 uA

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 225 C

Confezione:

Massa

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 225 C

Marca:

Semiconduttore GeneSiC

Pd - Dissipazione di potenza:

64 W

Tipologia di prodotto:

Diodi e raddrizzatori Schottky

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

Diodi e raddrizzatori

Tags

GB02SH, GB02S, GB02, GB0