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GB02SHT03-46

GB02SHT03-46
Mfr. #:
GB02SHT03-46
Produttore:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
GB02SHT03-46 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
GB02SHT03-46 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Semiconduttore GeneSiC
categoria di prodotto
Diodi, Raddrizzatori - Singoli
Serie
-
Prodotto
Diodi Schottky al carburo di silicio
Confezione
Massa
Stile di montaggio
Foro passante
Pacchetto-Custodia
TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Tecnologia
SiC
Tipo di montaggio
Foro passante
Pacchetto-dispositivo-fornitore
TO-46
Configurazione
Separare
Velocità
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo diodo
Carburo di silicio Schottky
Corrente-Inversa-Dispersione-Vr
5μA @ 300V
Tensione-Forward-Vf-Max-If
1.6V @ 1A
Tensione-DC-Reverse-Vr-Max
300V
Corrente-Media-Rettificata-Io
4A (DC)
Reverse-Tempo di ripristino-trr
0ns
Capacità-Vr-F
76pF @ 1V, 1MHz
Giunzione-temperatura di esercizio
-55°C ~ 225°C
Pd-Power-Dissipazione
64 W
Massima temperatura di esercizio
+ 225 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Vf-Forward-Voltage
2.6 V
Ir-corrente-inversa
5 uA
Se-Forward-Current
4 A
Vrrm-ripetitivo-tensione inversa
300 V
Ifsm-Forward-Surge-Current
10 A
Tags
GB02SH, GB02S, GB02, GB0
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Sic Schottky Diode, 4A, 300V, To-206Ab
High-Temperature SiC Transistors and Rectifiers
GeneSiC Semiconductor High-Temperature SiC Transistors and Rectifiers are compact, high-temperature SiC Junction Transistors (SJTs) and rectifiers in a TO-46 package. These discrete components are designed to operate at temperatures of over 225°C. The use of high voltage, low RDS(ON) SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size and weight of electronics applications requiring higher power handling at elevated temperatures.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
GB02SHT03-46
DISTI # 1242-1255-ND		GeneSic Semiconductor IncDIODE SCHOTTKY 300V 4A
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		168In Stock
  • 100:$42.2510
  • 10:$48.7290
  • 1:$52.1100
GB02SHT03-46
DISTI # 905-GB02SHT03-46		GeneSic Semiconductor IncSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
RoHS: Compliant		3
  • 1:$48.6600
  • 5:$47.3100
  • 10:$45.3500
  • 25:$42.0800
  • 50:$41.5500
  • 100:$39.4500
Immagine Parte # Descrizione
GB02SHT01-46

Mfr.#: GB02SHT01-46

OMO.#: OMO-GB02SHT01-46

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
GB02SHT03-46

Mfr.#: GB02SHT03-46

OMO.#: OMO-GB02SHT03-46

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
GB02SHT06-46

Mfr.#: GB02SHT06-46

OMO.#: OMO-GB02SHT06-46

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
GB02SHT03-46

Mfr.#: GB02SHT03-46

OMO.#: OMO-GB02SHT03-46-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
GB02SHT06-46

Mfr.#: GB02SHT06-46

OMO.#: OMO-GB02SHT06-46-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
GB02SHT01-46

Mfr.#: GB02SHT01-46

OMO.#: OMO-GB02SHT01-46-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
5500
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Il prezzo attuale di GB02SHT03-46 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
59,18 USD
59,18 USD
10
56,22 USD
562,16 USD
100
53,26 USD
5 325,75 USD
500
50,30 USD
25 149,40 USD
1000
47,34 USD
47 340,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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