CSD25302Q2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WSON-FET-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

49 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

2.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.4 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

CSD25302Q2

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

2 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

12.3 S

Tempo di caduta:

1.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.2 ns

Tags

CSD2530, CSD253, CSD25, CSD2, CSD