CSD25501F3T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PICOSTAR-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

260 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.05 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

1.02 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

CSD25501F3

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

3.4 S

Tempo di caduta:

945 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

428 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

1154 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

474 ns

Unità di peso:

0.000011 oz

Tags

CSD25, CSD2, CSD