CSD25402Q3A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSONP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

76 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

650 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

7.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Pd - Dissipazione di potenza:

69 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

3.15 mm

Serie:

CSD25402Q3A

Tipo di transistor:

1 P-Channel Power MOSFET

Larghezza:

3 mm

Marca:

Texas Instruments

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Tags

CSD25402, CSD2540, CSD254, CSD25, CSD2, CSD