CSD17578Q3A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSONP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

17.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

37 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

3.15 mm

Serie:

CSD17578Q3A

Tipo di transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Larghezza:

3 mm

Marca:

Texas Instruments

Kit di sviluppo:

TPS25740EVM-741, TPS25740AEVM-741, TPS25740BEVM-741

Tempo di caduta:

1 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2 ns

Unità di peso:

0.000967 oz

Tags

CSD17578, CSD1757, CSD175, CSD17, CSD1, CSD