SIHP186N60EF-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220AB-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

18 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

225 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

65 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Marca:

Vishay / Siliconix

Tempo di caduta:

44 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

32 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

80 ns

Tags

SIHP18, SIHP1, SIHP, SIH