C3M0065100J

C3M0065100J
Mfr. #:
C3M0065100J
Produttore:
N/A
Descrizione:
MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
C3M0065100J Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Cree, Inc.
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
SiC
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
TO-263-7
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
1 kV
Id - Corrente di scarico continua:
35 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
65 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
1.8 V
Vgs - Tensione Gate-Source:
15 V, - 4 V
Qg - Carica cancello:
35 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
113.5 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Confezione:
Tubo
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Marca:
Wolfspeed / Cree
Transconduttanza diretta - Min:
14.3 S
Tempo di caduta:
7.5 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
9 ns
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
13 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
13 ns
Unità di peso:
0.077603 oz
Tags
C3M00651, C3M006, C3M00, C3M0, C3M
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
In a Tube of 50, SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0065100J
***ark
Mosfet, N-Ch, 1Kv, 35A, To-263 Rohs Compliant: Yes
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
***ment14 APAC
场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 35A, TO-263;
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE MOSFETS
***nell
MOSFET, CA-N, 1KV, 35A, TO-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:35A; Tensione Drain Source Vds:1kV; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.065ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):15V; Tensione di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione di Potenza Pd:113.5W; Modello Case Transistor:TO-263; No. di Pin:7Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:C3M Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017)
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
C3M0065100J
DISTI # C3M0065100J-ND
WolfspeedMOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
1624In Stock
  • 1:$12.7700
C3M0065100J-TR
DISTI # C3M0065100J-TR-ND
Wolfspeed1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
RoHS: Not compliant
Min Qty: 1600
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 1600:$12.7680
C3M0065100J
DISTI # 941-C3M0065100J
Cree, Inc.MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
RoHS: Compliant
1065
  • 1:$12.1600
  • 100:$11.6900
  • 500:$11.1200
C3M0065100J
DISTI # 2749950
WolfspeedMOSFET, N-CH, 1KV, 35A, TO-263
RoHS: Compliant
919
  • 1:$19.4400
C3M0065100J
DISTI # 2749950
WolfspeedMOSFET, N-CH, 1KV, 35A, TO-263
RoHS: Compliant
1965
  • 100:£9.4900
  • 50:£9.5700
  • 10:£9.6600
  • 5:£9.7400
  • 1:£10.3000
Immagine Parte # Descrizione
BC856BW,115

Mfr.#: BC856BW,115

OMO.#: OMO-BC856BW-115

Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7
C3M0120100J

Mfr.#: C3M0120100J

OMO.#: OMO-C3M0120100J

MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
C3M0065090J

Mfr.#: C3M0065090J

OMO.#: OMO-C3M0065090J

MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
GS66508T-E02-MR

Mfr.#: GS66508T-E02-MR

OMO.#: OMO-GS66508T-E02-MR

MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
C3M0075120J

Mfr.#: C3M0075120J

OMO.#: OMO-C3M0075120J

MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
C3M0120100J

Mfr.#: C3M0120100J

OMO.#: OMO-C3M0120100J-WOLFSPEED

MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
GS66508T-E02-MR

Mfr.#: GS66508T-E02-MR

OMO.#: OMO-GS66508T-E02-MR-1190

MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
C3M0075120J

Mfr.#: C3M0075120J

OMO.#: OMO-C3M0075120J-WOLFSPEED

MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
C3M0065090J

Mfr.#: C3M0065090J

OMO.#: OMO-C3M0065090J-WOLFSPEED

MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
BC856BW,115

Mfr.#: BC856BW,115

OMO.#: OMO-BC856BW-115-NEXPERIA

Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7
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