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C3M0120100J

C3M0120100J
Mfr. #:
C3M0120100J
Produttore:
N/A
Descrizione:
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
C3M0120100J Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
C3M0120100J maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Cree, Inc.
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
SiC
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
TO-263-7
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
1 kV
Id - Corrente di scarico continua:
22 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
120 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
1.8 V
Vgs - Tensione Gate-Source:
15 V, - 4 V
Qg - Carica cancello:
21.5 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
83 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Confezione:
Tubo
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Marca:
Wolfspeed / Cree
Transconduttanza diretta - Min:
7.7 S
Tempo di caduta:
8 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
8 ns
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
14 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
7 ns
Unità di peso:
0.077603 oz
Tags
C3M01, C3M0, C3M
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7 + Tab-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0120100J
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
***ment14 APAC
场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 22A, TO-263;
***ark
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE MOSFETS
***nell
MOSFET, CA-N, 1KV, 22A, TO-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:22A; Tensione Drain Source Vds:1kV; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.12ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):15V; Tensione di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:TO-263; No. di Pin:7Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:C3M Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017)
C3M0120100J SiC Power MOSFET
Wolfspeed C3M0120100J SiC Power MOSFET reduces switching loss and minimizes gate ringing. This MOSFET increases system switching frequency and is suitable for fast switching devices. The C3M0120100J MOSFET includes typical turn-off delay time 14ns and turn-on delay time 7ns. This MOSFET operates at a temperature range from -55ºC to 150ºC. The C3M0120100J SiC MOSFET offers continuous drain current (Id) of 22A, VDS of 1000V, 120mΩ RDS(on), and 21.5nC Qg. This MOSFET incorporates high system efficiency, reduced cooling requirements, and increase power density.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
C3M0120100J
DISTI # V99:2348_17082086		Cree, Inc.SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES900
  • 1:$9.6899
C3M0120100J
DISTI # V36:1790_17082086		Cree, Inc.SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES0
  • 1000000:$6.2120
  • 500000:$6.2150
  • 100000:$6.6400
  • 10000:$7.4560
  • 1000:$7.5960
C3M0120100J
DISTI # C3M0120100J-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		680In Stock
  • 100:$8.7248
  • 1:$8.7500
C3M0120100J
DISTI # 32035291		Cree, Inc.SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES900
  • 1:$9.6899
C3M0120100J
DISTI # 941-C3M0120100J		Cree, Inc.MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
RoHS: Compliant		777
  • 1:$8.7500
  • 100:$8.4100
  • 500:$8.0000
C3M0120100J
DISTI # 1503947		Cree, Inc.MOSFET N-CH 1000V 22A C3M SIC TO-263-7, TU382
  • 250:£6.0410
  • 150:£6.1640
  • 50:£6.4600
C3M0120100J
DISTI # 1503965		Cree, Inc.MOSFET N-CH 1000V 22A C3M SIC TO-263-7, EA196
  • 40:£6.3800
  • 20:£6.5100
  • 10:£6.6400
  • 1:£6.7800
C3M0120100J
DISTI # C3M0120100J		WolfspeedSILICON CARBIDE MOSFETS
RoHS: Compliant		970
  • 1:$7.5700
  • 11:$7.3400
  • 51:$7.0300
C3M0120100J
DISTI # 2749949		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1KV, 22A, TO-263
RoHS: Compliant		0
  • 1:$14.6000
Immagine Parte # Descrizione
UCC21520DWR

Mfr.#: UCC21520DWR

OMO.#: OMO-UCC21520DWR

 Gate Drivers 4A/6A, 5KVrms Dual Isolated-channel Univ
MMBT3906-7-F

Mfr.#: MMBT3906-7-F

OMO.#: OMO-MMBT3906-7-F

 Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
CD-MBL206SL

Mfr.#: CD-MBL206SL

OMO.#: OMO-CD-MBL206SL

 Bridge Rectifiers VRRM 600V 2A SMD MBLS Brdge Rectifier
IPN70R360P7SATMA1

Mfr.#: IPN70R360P7SATMA1

OMO.#: OMO-IPN70R360P7SATMA1

 MOSFET CONSUMER
SBR3U40P1-7

Mfr.#: SBR3U40P1-7

OMO.#: OMO-SBR3U40P1-7

 Schottky Diodes & Rectifiers POWERDI 123 3A 40V ULTRALOW VF
SD0603S040S0R2

Mfr.#: SD0603S040S0R2

OMO.#: OMO-SD0603S040S0R2

 Schottky Diodes & Rectifiers 40volts 0.2A SIZE 0603
MC78L05ACDR2G

Mfr.#: MC78L05ACDR2G

OMO.#: OMO-MC78L05ACDR2G

 Linear Voltage Regulators 5V 100mA Positive
IFX25001MEV33HTSA1

Mfr.#: IFX25001MEV33HTSA1

OMO.#: OMO-IFX25001MEV33HTSA1

 LDO Voltage Regulators Low Dropout Voltage Regulator
C3M0065100J

Mfr.#: C3M0065100J

OMO.#: OMO-C3M0065100J

 MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
IFX25001MEV33HTSA1

Mfr.#: IFX25001MEV33HTSA1

OMO.#: OMO-IFX25001MEV33HTSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 IC REG LIN 3.3V 400MA SOT223-4
Disponibilità
Azione:
725
Su ordine:
2708
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di C3M0120100J è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
8,75 USD
8,75 USD
100
8,41 USD
841,00 USD
500
8,00 USD
4 000,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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