2N5657

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

SOT-32-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

350 V

Collettore-tensione di base VCBO:

375 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

10 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

10 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5657

Guadagno di corrente CC hFE Max:

250

Altezza:

10.8 mm (Max)

Lunghezza:

7.8 mm (Max)

Confezione:

Tubo

Larghezza:

2.7 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Corrente continua del collettore:

0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.002116 oz

Tags

2N565, 2N56, 2N5