2N5064RLRAG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

SCR

RoHS:

Y

Serie:

2N506X

Corrente di breakover IBO max:

10 A

Tensione nominale di stato off ripetitiva VDRM:

200 V

Corrente di dispersione fuori stato @ VDRM IDRM:

10 uA

Corrente RMS nello stato - RMS:

800 mA

Vf - Tensione diretta:

1.7 V

Tensione inversa di picco massimo del gate:

5 V

Tensione di attivazione del cancello - Vgt:

800 mV

Corrente di attivazione del cancello - Igt:

0.2 mA

Corrente di mantenimento Ih max:

5 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 110 C

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3 (TO-226)

Confezione:

Bobina

Valutazione attuale:

510 mA

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.2 mm

Tipo:

SCR

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente di stato non ripetitiva:

10 A

Tipologia di prodotto:

SCR

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

tiristori

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