SI7196DP-T1-GE3

SI7196DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7196DP-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 16A 41.6W 1.1mohm @ 10V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI7196DP-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
VISHAY
categoria di prodotto
FET - Single
Serie
SI71xxDx
Confezione
Bobina
Alias ​​parziali
SI7196DP-GE3
Unità di peso
0.017870 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
SO-8
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
5 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
12 ns
Ora di alzarsi
12 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
15.8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
11 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
22 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
21 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI7196DP-T, SI7196D, SI7196, SI719, SI71, SI7
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 15.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***nell
N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A, SOIC
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:60000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0145ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:5W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI7196DP-T1-GE3
DISTI # SI7196DP-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI7196DP-T1-GE3
    DISTI # SI7196DP-T1-GE3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SI7196DP-T1-GE3
      DISTI # SI7196DP-T1-GE3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SI7196DP-T1-GE3
        DISTI # 781-SI7196DP-T1-GE3
        Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 16A 41.6W 1.1mohm @ 10V
        RoHS: Compliant
        0
          Immagine Parte # Descrizione
          SI7196DP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7196DP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7196DP-T1-GE3

          MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA18DP-T1-GE3
          SI7196DP-T1-E3

          Mfr.#: SI7196DP-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI7196DP-T1-E3-VISHAY

          RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 16A 41.6W
          SI7196DP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7196DP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7196DP-T1-GE3-VISHAY

          RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 16A 41.6W 1.1mohm @ 10V
          SI7196DP

          Mfr.#: SI7196DP

          OMO.#: OMO-SI7196DP-1190

          Nuovo e originale
          SI7196DP-T1-EG3

          Mfr.#: SI7196DP-T1-EG3

          OMO.#: OMO-SI7196DP-T1-EG3-1190

          Nuovo e originale
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          10
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          0,00 USD
          100
          0,00 USD
          0,00 USD
          500
          0,00 USD
          0,00 USD
          1000
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