IRF7663TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Micro-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

20 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

30 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

1.8 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.11 mm

Lunghezza:

3 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

3 mm

Marca:

Infineon / IR

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tags

IRF7663T, IRF7663, IRF766, IRF76, IRF7, IRF