IRF7665S2TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-SB

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

14.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

51 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

30 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

DirectFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

4.85 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.95 mm

Marca:

Infineon / IR

Tempo di caduta:

3.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.8 ns

Parte # Alias:

SP001570544

Unità di peso:

0.017637 oz

Tags

IRF7665, IRF766, IRF76, IRF7, IRF