IRF6710S2TR1PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-S1

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

37 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

15 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.74 mm

Lunghezza:

4.85 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza DirectFET

Larghezza:

3.95 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

21 S

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

5.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.9 ns

Parte # Alias:

SP001530274

Unità di peso:

0.003527 oz

Tags

IRF6710, IRF671, IRF67, IRF6, IRF