2DB1184Q-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

110 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2DB11

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120

Altezza:

2.4 mm

Lunghezza:

6.8 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

6.2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

15000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.009185 oz

Tags

2DB1184Q-1, 2DB1184, 2DB118, 2DB11, 2DB1, 2DB