MRF1511NT1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

E

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Guadagno:

13 dB

Potenza di uscita:

8 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PLD-1.5

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Altezza:

1.83 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Frequenza operativa:

175 MHz

Serie:

MRF1511NT1

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

5.97 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modalità canale:

Aumento

Sensibile all'umidità:

sì

Pd - Dissipazione di potenza:

62.5 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.6 V

Parte # Alias:

935314119515

Unità di peso:

0.009877 oz

Tags

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