AFT05MS003NT1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2.6 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 30 V

Guadagno:

20.8 dB

Potenza di uscita:

3.2 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

1.8 MHz to 941 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Numero di canali:

1 Channel

Pd - Dissipazione di potenza:

30.5 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 12 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.2 V

Parte # Alias:

935312585147

Unità di peso:

0.001792 oz

Tags

AFT05MS00, AFT05MS, AFT05, AFT0, AFT