IXTT12N150HV

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268HV-2

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.5 kV

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

106 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

890 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

53 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Tags

IXTT12N, IXTT12, IXTT1, IXTT, IXT