IXTT12N150

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

106 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

890 W

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

5.1 mm

Lunghezza:

14 mm

Serie:

IXTT12N150

Tipo:

MOSFET di potenza ad alta tensione

Larghezza:

16.05 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

8 S

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

53 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

IXTT12N, IXTT12, IXTT1, IXTT, IXT