DMN3065LW-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

85 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

11.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

770 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerDI

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN3065

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

1.9 ns

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

DMN3065, DMN306, DMN30, DMN3, DMN