DMNH6021SPDQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerDI5060-C-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

15 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

20.1 nC, 20.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.8 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

5.4 ns, 5.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6 ns, 6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14.2 ns, 14.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.4 ns, 4.4 ns

Unità di peso:

0.004092 oz

Tags

DMNH6021SPD, DMNH6021SP, DMNH6021, DMNH602, DMNH6, DMNH, DMN