DMB54D0UV-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, PNP

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

50 V

Id - Corrente di scarico continua:

160 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMB54D

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

180 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

DMB54D0UV, DMB54, DMB5, DMB