ZXMN3AM832TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

T

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MLP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

180 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

2.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

6.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

1.7 ns

Unità di peso:

0.010582 oz

Tags

ZXMN3AM8, ZXMN3AM, ZXMN3A, ZXMN3, ZXMN, ZXM