IPD33CN10NGATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

27 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

18 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

58 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Serie:

OptiMOS 2

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

30 S

Tempo di caduta:

4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

21 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Parte # Alias:

G IPD33CN10N SP001127812

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

IPD33CN10NG, IPD33, IPD3, IPD